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Solitron Devices SMF460 650V N溝道功率MOSFET

發(fā)布時(shí)間:2024-12-30 08:51:50     瀏覽:332

Solitron Devices SMF460 650V N溝道功率MOSFET

  Solitron Devices SMF460這款MOSFET適用于需要高電壓和高電流的應(yīng)用,如電源轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和高功率開關(guān)電路。

  關(guān)鍵特性:

  連續(xù)漏極電流 (ID):10A

  導(dǎo)通電阻 (RDS(on)):300mΩ

  快速恢復(fù)二極管:內(nèi)置

  雪崩額定:能夠承受高能量脈沖

  封裝:TO-254 密封封裝

  背面隔離:提供額外的絕緣

  篩選:JANTX, JANTXV 篩選可用

  絕對(duì)最大額定值(TC = 25°C,除非另有說(shuō)明):

  漏源電壓 (VDSmax):650V

  柵源電壓 (VGSM):±30V(瞬態(tài))

  柵源電壓 (VGSS):±20V(連續(xù))

  連續(xù)漏極電流 (ID25):10A

  脈沖漏極電流 (ID(PULSE)):40A(脈沖寬度Tp受TJmax限制)

  功率耗散 (PD):116W

  結(jié)溫范圍,工作/存儲(chǔ) (TJ/TSTG):-55°C至150°C

  電氣規(guī)格(TJ = 25°C,除非另有說(shuō)明):

  體二極管正向電壓 (VSD):1.4V(當(dāng)IS = 10A, VGS = 0V)

  漏源擊穿電壓 (V(BR)DSS):650V

  柵閾值電壓 (VGS(th)):3至5V

  關(guān)態(tài)漏極電流 (IDSS):10μA(在VDS = 650V, VGS = 0V, T = 25°C)

  柵源漏電流 (IGSS):±100nA(在VGS = ±20V, VDS = 0V)

  漏源導(dǎo)通電阻 (RDS(on)):260至300mΩ(在VGS = 10V, ID = 6A, TJ = 25°C)

  跨導(dǎo) (Gfs):6.5S(在VDS = 10V, ID = 6A, TJ = 25°C)

  總柵電荷 (Qg(on), Qgs, Qgd):17, 4.7, 6.1nC(在VGS = 10V, VDS = 325V, ID = 6A)

  開關(guān)時(shí)間 (td(on), tr, td(off), tf):23, 24, 47, 15ns(在VDD = 325V, ID = 6A, RG = 4.3Ω)

  熱阻 (RthJC):1.08°C/W

更多Solitron Devices SiC MOSFET相關(guān)產(chǎn)品信息可咨詢立維創(chuàng)展

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